江苏华兴激光科技有限公司宣布完成1亿元B轮融资

Writer： admin Time：2022-06-13 Browse：146

　　多玩娱乐注册（简称“华兴激光”）宣布完成1亿元B轮融资。无锡金投消息显示，本轮融资由国家制造业转型升级基金股份有限公司（以下简称“国家制造业转型升级基金”）特定投资载体金石制造业转型升级新材料基金（有限合伙）领衔投资。此前，华兴激光获得了多轮融资，投资方包括了博灏创业、无锡金投等。

　　华兴激光成立于2016年，是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的企业，主要基于先进半导体技术制备以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底的不同结构和功能的光电子外延片。拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线，包括材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。

　　据了解，华兴激光核心团队来自中科院半导体所，深耕半导体光电产业十余年。公司在磷化铟/砷化镓基低维异质结构外延材料制备技术、基于电子束曝光和全息曝光的微纳结构光栅制作技术拥有深厚技术积累。

　　华兴激光是国内首家专注于化合物半导体光电子外延片研发和生产的国家高新技术企业。在半导体激光器外延工艺（Epi-wafer）领域，华兴激光使用先进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，发挥公司在材料外延上的技术积累，为激光器芯片做好高质量的前道工序服务。

　　材料外延是光芯片制备工艺的核心环节，其质量直接决定光芯片的工作性能。华兴激光掌握完全自主知识产权的一系列产品性能达到国际先进水平，广泛应用于5G通信、激光雷达、激光泵浦、激光显示等领域。

　　值得一提的是，3月27日，邳州市半导体企业与南京信息工程大学共建研究生联合培养基地正式签约，仪式上，华兴激光等半导体企业分别与南京信息工程大学进行签约。

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　　AFBR-2408Z光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。 接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2408Z接收器包含一个带集成光电二极管的IC，可将输入光信号转换为数字输出信号，无需额外电路。 由于其集成设计，接收器具有非常高的EMC电阻。 可实现宽接收器动态范围和高温灵敏度。 数据速率从DC到最大50MBd AFBR-2408Z配备RSSI（接收信号强度指示）功能，可提供输入光信号的信号强度以便诊断功能。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ（820nm LED）发射器配合使用 数据传输at信号速率从DC到50 MB 接收器：集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远2 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 从DC到50 MBd的光传输 工业控制和工厂自动化 高电压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变敏感度 电源变电站自动化...

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　　AFBR-2419TZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419TZ接收器包含一个集成光电二极管的IC，可直接将输入的光信号转换为数字输出信号，而无需额外的外部电路。由于其集成设计，接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器（RSSI）输出，其输出电流与平均输入光功率成比例。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ（820nm LED）和HFBR-1712TZ（850nm VCSEL）发射器配合使用 信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd 接收器：集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远3 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 兼容10Base-FL标准 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...

　　AFBR-2419MZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419MZ接收器包含一个集成光电二极管的IC，可直接将输入的光信号转换为数字输出信号，而无需额外的外部电路。由于其集成设计，接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器（RSSI）输出，其输出电流与平均输入光功率成比例。 功能 符合RoHS标准 与Broadcom HFBR-14xxZ（820nm LED）和HFBR-1712TZ（850nm VCSEL）发射器配合使用 信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd 接收器：集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC 多模玻璃光纤电缆距离最远3 km 工作温度范围-40°C至+ 85°C 兼容10Base-FL标准 3.3 V和5 V电源电压操作 RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...

　　AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

　　Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm，4通道PIN探测器阵列，位于300微米厚的基板上。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路，串行（NRZ）比特率高达14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 850nm中心波长的响应度 低电容 符合RoHs 应用程序 8/10/14 Gb / s数字通信链接 QSFP收发器

　　Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm，单通道25 Gb / s PIN探测器，在150微米厚的基板上具有40微米的光学窗口直径。它旨在通过串行（NRZ）比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度 40μm光学窗口直径 低电容 SG联系人配置 符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆（AOC）...

　　AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

　　Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm，4通道25 Gb / s PIN探测器阵列，光学窗口直径为40微米，宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路，串行（NRZ）比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容 大光圈 SG联系人配置 符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆（AOC）...

　　AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

　　Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm，4通道25 Gb / s PIN探测器阵列，在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。 阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路，串行（NRZ）比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容 大光圈 SG联系人配置 符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆（AOC）...

　　AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

　　Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器，具有150微米厚的基板。 此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路，串行（NRZ）比特率高达10.3125 Gb / s。 功能 高带宽性能 ; 850nm中心波长的高响应度 低电容 低串联电阻 符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆（AOC）

　　SPD3025-4 28-Gb / s GaAs，1×4阵列PIN光电二极管，通道间距为250μm

　　SPD3025-4是一款台面结构，基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列，具有高响应度，低暗电流和低电容，适用于高带宽，高性能光接收机设计。光电二极管低寄生效应使其成为高速，多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。 3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器（TIA）的引线键合，并有助于减少相邻通道的串扰。...

　　SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管，可为高带宽，高性能光接收机设计提供高响应度，低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器，在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行（NRZ）比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度 31μm光学窗口直径 低电容 SG联系人配置 符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆（AOC）...

　　SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列，提供四通道60mm顶部照明检测窗口，每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度，低暗电流，低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，多模，4x10Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列，提供12通道60mm顶部照明检测窗口，每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度，低暗电流，低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速，多模，10x10Gb / s以太网，12x10Gb / s（120Gb / s），12倍和12.5Gb / s（150Gb / s）和12x14Gb / s（168Gb）的理想选择/ s）用于CXP收发器和有源光缆（AOC）。

　　SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs，1×4阵列PIN光电二极管，通道间距为250μm

　　SPD2025-4X是一款台面结构，基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列，具有高响应度，低暗电流和低电容，适用于高带宽，高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　SPD2014-4是一款台面结构，基于GaAs的PIN光电二极管阵列，提供四通道60mm顶部照明检测窗口，每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度，低暗电流，低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，多模，4x10Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs，1×4阵列PIN光电二极管，通道间距为250μm

　　LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列，提供四通道高响应度，低暗电流和低电容，适用于高带宽，高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，单模，4x25Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs，1×4阵列PIN光电二极管，具有250-μmGSG通道间距

　　LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列，提供四通道高响应度，低暗电流和低电容，适用于高带宽，高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，单模，4x28Gb / s应用的理想选择，与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）相结合。

　　LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs，1×4阵列PIN光电二极管，通道间距为250μm

　　LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列，提供4通道32um顶部照明检测窗口，带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度，低暗电流，低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速，单模，4x25Gb / s应用的理想选择，与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器（TIA）结合使用